図解入門よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み 材料・プロセス編 (How‐nual Visual Guide Book) の感想

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本書の想定読者は、「ある程度の半導体の基本知識を持っておられ」、前書「よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み」を読んでおられる方なので要注意。
私は、前書を読んでいない想定外の読者だが、ＳｉＣやＧａＮの基礎知識が必要なので本書を購入した。

著者は、読者の理解を得ることに熱意を持っているようだ。しかし、説明がクドかったり、比喩がイマイチで空回りと感じる。

また、品質に問題があり、読むことにストレスを感じる。例えば、
１　誤字・脱字が多数あり、一時停車を余儀なくされる。
　・「バックグラインド」を、Ｐ１３８のタイトルで「バックブラインド」と誤記、Ｐ１４４では「バックグラウンド」と誤記。
　・Ｐ１５０「・・・ふたつの方法があります。はそれぞれ共晶合金結合法と樹脂接着法です。」
２　間違いがあり、これも一時停車を余儀なくされる。（溶融状態×）
　・Ｐ６９「ＳｉＣは常圧では液相が存在しません。昇華法は・・・ＳｉＣの溶融状態を黒煙坩堝の加熱により生成し、そこからＳｉＣを昇華させ・・・」
３　ＧａＮを論じているＰ９５で、図にＧａＮのプロットがない無神経さ。無神経の同類多数。
何故に、こんな間違いや不備が多いのか。これは著者一人の責任でもない。編集者が無能なのか、いないのか、匙を投げたのか。三番目のような気がする。

ときに詐欺的に劣悪な書籍に出会うが、本書の内容はマトモだと思う。
しかし、この品質の低さに少し怒りを感じた。
化合物半導体入門という私の目的には有用だったので、評価は星３つとした。